@phdthesis{oai:soar-ir.repo.nii.ac.jp:00011537,
 author = {渡邉, 幸宗},
 month = {Mar},
 note = {Thesis, 渡邉　幸宗. 高品位3C-SiCエピタキシャル膜形成に向けたSi基板炭化機構に関する研究. 信州大学, 2014, 博士論文. 博士（工学）, 甲第604号, 平成26年3月20日授与.},
 school = {信州大学(Shinshu university)},
 title = {高品位3C-SiCエピタキシャル膜形成に向けたSi基板炭化機構に関する研究},
 year = {2014}
}