@techreport{oai:soar-ir.repo.nii.ac.jp:00018307, author = {上村, 喜一}, month = {}, note = {研究種目:基盤研究(C), 研究期間:2012~2014, 課題番号:24560371, 研究代表者:上村 喜一, 研究者番号:40113005, Other, 2012~2014年度科学研究費助成事業(基盤研究(C))研究成果報告書 課題番号:24560371 研究代表者:上村 喜一}, title = {直接熱窒化層を用いたSiCMIS構造の作製と電力用FETへの応用}, year = {2015} }