WEKO3
アイテム
単電子効果起因エラー耐性を有する極微細NANDフラッシュメモリシステムの構築
http://hdl.handle.net/10091/00020370
http://hdl.handle.net/10091/00020370d90f01a8-ae8a-4b5a-bdb7-3c5499ad9025
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | 研究報告書 / Research Paper(1) | |||||||
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公開日 | 2018-03-20 | |||||||
タイトル | ||||||||
タイトル | 単電子効果起因エラー耐性を有する極微細NANDフラッシュメモリシステムの構築 | |||||||
言語 | ||||||||
言語 | jpn | |||||||
資源タイプ | ||||||||
資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||||
タイプ | research report | |||||||
その他(別言語等)のタイトル | ||||||||
その他のタイトル | A fundamental study for a scaled NAND flash memory system resistive to errors induced by single-electron phenomenon | |||||||
著者 |
宮地, 幸祐
× 宮地, 幸祐
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信州大学研究者総覧へのリンク | ||||||||
氏名 | 宮地, 幸祐 | |||||||
URL | http://soar-rd.shinshu-u.ac.jp/profile/ja.yenpWFLa.html | |||||||
引用 | ||||||||
内容記述 | 2013~2015年度科学研究費助成事業(若手研究(B))研究成果報告書 課題番号:25820148 研究代表者:宮地 幸祐 | |||||||
書誌情報 |
発行日 2016 |
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内容記述 | ||||||||
内容記述 | 研究種目:若手研究(B) | |||||||
内容記述 | ||||||||
内容記述 | 研究期間:2013~2015 | |||||||
内容記述 | ||||||||
内容記述 | 課題番号:25820148 | |||||||
内容記述 | ||||||||
内容記述 | 研究代表者:宮地 幸祐 | |||||||
内容記述 | ||||||||
内容記述 | 研究者番号:80635467 | |||||||
資源タイプ(コンテンツの種類) | ||||||||
内容記述 | Other | |||||||
出版タイプ | ||||||||
出版タイプ | VoR | |||||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |