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  1. 060 工学部
  2. 0601 学術論文

Influence of Ge composition in the Cu2Sn1-xGexS3 thin-film photovoltaic absorber prepared by sulfurization of laminated metallic precursor

http://hdl.handle.net/10091/00018600
http://hdl.handle.net/10091/00018600
85ad7eae-bedb-4cb0-9a81-71d072f7a39e
名前 / ファイル ライセンス アクション
Influence_Ge_composition_Cu2Sn1-xGexS3_thin-film.pdf Influence_Ge_composition_Cu2Sn1-xGexS3_thin-film.pdf (11.9 MB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2016-02-03
タイトル
タイトル Influence of Ge composition in the Cu2Sn1-xGexS3 thin-film photovoltaic absorber prepared by sulfurization of laminated metallic precursor
言語
言語 eng
DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1016/j.solmat.2015.04.030
関連名称 10.1016/j.solmat.2015.04.030
キーワード
主題 Cu2Sn1-xGexS3, Sulfurization, Thin film, Raman spectrum, Compound semiconductor, Solar cell
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
著者 Myo, Than Htay

× Myo, Than Htay

Myo, Than Htay

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Mandokoro, Takahiro

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Seki, Hiroaki

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Sakaizawa, Takanori

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Momose, Noritaka

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Taishi, Toshinori

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Hashimoto, Yoshio

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Ito, Kentaro

× Ito, Kentaro

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信州大学研究者総覧へのリンク
氏名 Myo, Than Htay
URL http://soar-rd.shinshu-u.ac.jp/profile/ja.ZpTFbpkh.html
信州大学研究者総覧へのリンク
氏名 Taishi, Toshinori
URL http://soar-rd.shinshu-u.ac.jp/profile/ja.jhTePmSF.html
信州大学研究者総覧へのリンク
氏名 Hashimoto, Yoshio
URL http://soar-rd.shinshu-u.ac.jp/profile/ja.gUTUZVkh.html
出版者
出版者 ELSEVIER SCIENCE BV
引用
内容記述 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS. 140:312-319 (2015)
書誌情報 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS

巻 140, p. 312-319, 発行日 2015-09
抄録
内容記述 Cu2Sn1-xGexS3 thin-film absorbers are prepared by sulfurization of laminated precursors. The crystal grain size is enhanced under higher growth temperature and/or sulfur pressure. By the XRD and Raman analyses, the crystal alloy is considered to be composed of majority monoclinic phase with minority secondary phase such as Cu-2(Sn1-xGex)(3)S-7 throughout the whole Ge/(Ge+Sn) composition range. The optical band gap is observed to be varied between 0.94 eV and 1.30 eV in relation with the Ge contents. A photovoltaic conversion efficiency of about 2% is obtained in the sample utilizing Cu2Sn0.6Ge0.4S3 absorber. (C) 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.
資源タイプ(コンテンツの種類)
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0927-0248
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA10827286
権利
権利情報 © 2015. This manuscript version is made available under the CC-BY-NC-ND 4.0 license http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
WoS
URL http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?&GWVersion=2&SrcAuth=ShinshuUniv&SrcApp=ShinshuUniv&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS&KeyUT=000356746800041
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Ver.1 2021-03-01 09:30:02.409620
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Myo, Than Htay, Mandokoro, Takahiro, Seki, Hiroaki, Sakaizawa, Takanori, Momose, Noritaka, Taishi, Toshinori, Hashimoto, Yoshio, Ito, Kentaro, 2015, Influence of Ge composition in the Cu2Sn1-xGexS3 thin-film photovoltaic absorber prepared by sulfurization of laminated metallic precursor: ELSEVIER SCIENCE BV, 312–319 p.

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