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Interface State Density between Direct Nitridation Layer and SiC Estimated from Current Voltage Characteristics of MIS Schottky Diode
http://hdl.handle.net/10091/15982
http://hdl.handle.net/10091/1598274114fe6-d903-4c2b-b541-57bb501436ee
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
Interface_State_Density_Direct_Nitridation.pdf (382.5 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-09-21 | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | Interface State Density between Direct Nitridation Layer and SiC Estimated from Current Voltage Characteristics of MIS Schottky Diode | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||
| DOI | ||||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1587/transele.E92.C.1470 | |||||||||||||
| 関連名称 | 10.1587/transele.E92.C.1470 | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題 | SiC, nitride, interface, MIS Schottky | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||
| タイプ | journal article | |||||||||||||
| 著者 |
Kamimura, Kiichi
× Kamimura, Kiichi
× Shiozawa, Hiroaki
× Yamakami, Tomohiko
× Hayashibe, Rinpei
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| 信州大学研究者総覧へのリンク | ||||||||||||||
| 氏名 | Kamimura, Kiichi | |||||||||||||
| URL | http://soar-rd.shinshu-u.ac.jp/profile/ja.yVkaZVkh.html | |||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||
| 出版者 | IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG | |||||||||||||
| 引用 | ||||||||||||||
| 内容記述 | IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS. E92C(12):1470-1474 (2009) | |||||||||||||
| 書誌情報 |
IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS 巻 E92C, 号 12, p. 1470-1474, 発行日 2009-12 |
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| 抄録 | ||||||||||||||
| 内容記述 | Interface state density was estimated from diode factor n of SiC MIS Schottky diode. The interface state density was the order of 10(12) cm(-2)eV(-1), and was same order to the value for the sample carefully prepared by oxidation and post oxidation annealing. The interface state density determined from n was consistent to the value calculated from the capacitance voltage curve of SiO(2)/nitride/SiC MIS diode by Terman method. High temperature nitridation was effective to reduce the interface state density. | |||||||||||||
| 資源タイプ（コンテンツの種類） | ||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||
| 収録物識別子 | 0916-8524 | |||||||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||
| 収録物識別子 | AA10826283 | |||||||||||||
| 他の資源との関係：URI | ||||||||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||||||||
| 関連識別子 | http://search.ieice.org/ | |||||||||||||
| 関連名称 | http://search.ieice.org/ | |||||||||||||
| 権利 | ||||||||||||||
| 権利情報 | Copyright© 2009 IEICE | |||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||
| WoS | ||||||||||||||
| URL | http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?&GWVersion=2&SrcAuth=ShinshuUniv&SrcApp=ShinshuUniv&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS&KeyUT=000273190900012 | |||||||||||||
