Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
公開日 |
2012-09-21 |
タイトル |
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タイトル |
Interface State Density between Direct Nitridation Layer and SiC Estimated from Current Voltage Characteristics of MIS Schottky Diode |
言語 |
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言語 |
eng |
DOI |
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関連識別子 |
https://doi.org/10.1587/transele.E92.C.1470 |
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関連名称 |
10.1587/transele.E92.C.1470 |
キーワード |
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主題 |
SiC, nitride, interface, MIS Schottky |
資源タイプ |
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資源 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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タイプ |
journal article |
著者 |
Kamimura, Kiichi
Shiozawa, Hiroaki
Yamakami, Tomohiko
Hayashibe, Rinpei
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信州大学研究者総覧へのリンク |
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氏名 |
Kamimura, Kiichi |
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URL |
http://soar-rd.shinshu-u.ac.jp/profile/ja.yVkaZVkh.html |
出版者 |
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出版者 |
IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG |
引用 |
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内容記述 |
IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS. E92C(12):1470-1474 (2009) |
書誌情報 |
IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS
巻 E92C,
号 12,
p. 1470-1474,
発行日 2009-12
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抄録 |
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内容記述 |
Interface state density was estimated from diode factor n of SiC MIS Schottky diode. The interface state density was the order of 10(12) cm(-2)eV(-1), and was same order to the value for the sample carefully prepared by oxidation and post oxidation annealing. The interface state density determined from n was consistent to the value calculated from the capacitance voltage curve of SiO(2)/nitride/SiC MIS diode by Terman method. High temperature nitridation was effective to reduce the interface state density. |
資源タイプ(コンテンツの種類) |
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内容記述 |
Article |
ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
0916-8524 |
書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA10826283 |
他の資源との関係:URI |
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関連識別子 |
http://search.ieice.org/ |
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関連名称 |
http://search.ieice.org/ |
権利 |
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権利情報 |
Copyright© 2009 IEICE |
出版タイプ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
WoS |
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URL |
http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?&GWVersion=2&SrcAuth=ShinshuUniv&SrcApp=ShinshuUniv&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS&KeyUT=000273190900012 |